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汽車工業(yè)的發(fā)展同時帶動了電子工業(yè)發(fā)展，特別是在現(xiàn)代汽車中電子/電器占汽車制造成本的比例越來越大。據(jù)國外一家公司（VDI）的分析和預測，電子/電器占汽車制造的成本從20世紀80年代起逐年增長，成本份額達15%左右。主要是電子控制燃油噴射，電子發(fā)動機控制和電子變速器控制等。到了21世紀后增幅達到25%，其中主要是柴油噴射、導骯裝置等電子系統(tǒng)。隨后，集成式汽車電子裝備占汽車制造總成本的份額始終保持穩(wěn)定增長的態(tài)勢，預計到2010年可達30%目前汽車電子產(chǎn)品的應用數(shù)量正不斷增多，許多工...

中國科學院材料物理中心，沈陽110016：wdenggxu.edu.cn國家自然科學基金（批準號：50361002）、廣西科學研究與技術開發(fā)計劃（編號：0480004）和廣西大學科學技術研究重點項目（編號：2003ZD04）資助TiAl合金3d電子缺陷正電子湮沒了這些金屬及合金中3d電子和缺陷的信息。結果表明，過渡金屬元素Ti，V，Cu原子中3d軌道的電子數(shù)目越多，正電子湮沒放射Doppler展寬譜的3d信號越強。二元TiAl合金的電子密度和3d電子的信號較低，晶界缺陷的開空...

品等牖桃起晏文珍一中國防偽報道今年3月1曰起中國國內(nèi)市場銷售的1800多種電子信息產(chǎn)品都必須標有環(huán)保身fen證"――"電子信息產(chǎn)品污染控制標識"今年3月1日起，中國國內(nèi)市場銷售的1800多種電子信息產(chǎn)品都必須標有“環(huán)保身fen證”――“電子信息產(chǎn)品污染控制標識”。壁壘，如果中國不實施，外國被淘汰的電子產(chǎn)品就很容易會流入中國?！耙晃粯I(yè)內(nèi)人士如此評價。然而，強制實施的中國版ROHs指令，無疑將給成千上萬的生產(chǎn)商、銷售商、進口商帶來新的挑戰(zhàn)。部、發(fā)改委、商務部、海關總署、工商總局、...

從目前世界的能源結構來看，以資源有限、污染嚴重的石化能源為主的能源結構將逐步轉變?yōu)橐再Y源無限、清潔干凈的可再生能源為主的能源結構。太陽能、風能、水能、海洋能、生物質(zhì)能、地熱能、燃料電池等可再生能源作為新興的綠色能源，以其枯竭、無污染、不受地域資源限制等優(yōu)點，正得到迅速的推廣應電力電子技術作為可再生能源發(fā)電技術的關鍵，直接關系到可再生能源發(fā)電技術的發(fā)展?？稍偕茉窗l(fā)出大小變化的直流電或頻率變化的交流電，需要電力電子變換器將電能進行變換。1電力電子技術在再生能源發(fā)電系統(tǒng)中的應用及...

低能電子束光刻的MonteCarlo模擬°bookmark0肖沛，林季資（江蘇科技大學張家港校區(qū)基礎部江蘇張家港215600）襯底中的彈性散射和非彈性散射。通過統(tǒng)計電子的能量沉積分布，發(fā)現(xiàn)低能電子的大部分能量沉積在光刻膠中而非襯底所以在電子束光刻中有著更高的效率。并且還得到了在不同的入射電子能量下，光刻膠*曝光所對應的的厚度。傳統(tǒng)的光刻是指用激光把圖形刻蝕在半導體材料上的光刻膠內(nèi)的一門技術，主要用于半導體器件的制作。由于光的波長限制，光學光刻技術不適用于大規(guī)模集成電路的制作。...

在電磁波譜上，太赫茲（THz）波段介于電子學的微波波段與光學的紅外波段之間，有學者定義其頻率范圍為（波長3mm―3nm）2‘31.由于該波段所處的特殊電磁波譜的位置，其性質(zhì)表現(xiàn)出一系列不同于其他電磁放射的特殊性，從而使太赫茲放射成像技術及時域光譜技術在安全檢查、反隱身高精度雷達、軍事通訊、工業(yè)無損檢測、空間物理和天文學、環(huán)境檢測、化學分析、生物醫(yī)學、網(wǎng)絡通信等領域具有廣闊的應用前景。目前，各國學者給予THz技術研究以大大的的關注，形成了一個研究高潮。美國、歐洲和日本尤為重視，...

能量啁啾電子束自由電子激光放大啁啾脈沖束小建彭堂超2，竇玉煥1（1.北京應用物理與計算數(shù)學研宄所北京100088；2.武漢大學物理科學與技術學院，武漢430072）和滑移現(xiàn)象對其的影響。采用研制的1維非定態(tài)程序GOFEL-P，對能量啁啾自由電子激光放大器放大啁啾脈沖的過程進行了數(shù)值模擬和分析，計算了不同啁啾參數(shù)的脈沖被放大后的腔外壓縮情況。結果表明：與單能電子束時相比，能量啁啾自由電子激光可以放大具有更大啁啾參數(shù)的啁啾脈沖，使壓縮后的脈沖峰值功率增大至568GW，脈沖寬度縮短...

Ti-50Al和Ti-4l-8Nb合金在鋅液中的腐蝕行為，并測量Ti-50Al和Ti-4l-8Nb合金的正電子壽命譜，利用正電子壽命參數(shù)分別計算了合金基體和缺陷態(tài)的自由電子密度。TiAl合金自由電子密度比金屬Ti和金屬Al基體的低，當Ti和Al組成TiAl合金時，Ti原子和A1原子的部分價電子被局域化，TiAl合金中金屬鍵和其價鍵共存。TiA1合金晶界缺陷的開空間較大，晶界缺陷處的自由電子密度較低，金屬鍵結合力較弱。在TiAl合金中加入Nb元素，Ti-4l-8Nb合金基體和晶...